当前位置：首页 > 产品中心
碳化硅工艺
碳化硅工艺
2022-07-15T16:07:16+00:00
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
2019年9月5日 碳化硅功率器件整个生产过程大致如下图所示，主要会分为碳化硅单晶生产、外延层生产、器件制造三大步骤，分别对应产业链的衬底、外延、器件和模组三大环 2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用 石英砂 、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过 电阻炉 高温冶炼而成。 碳化硅在大自然也存在罕见的矿物， 莫桑石 。 在C、N 碳化硅百度百科2023年10月23日 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺 碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。 1891年美国人艾契逊 (Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。 碳化硅是用天然硅石、 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺 百家号——从这里
我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
2021年12月24日 碳化硅MOSFET关键工艺包括： 1、高温高能粒子注入技术（高的激活率，光滑表面及低缺陷）；2、欧姆接触技术（低的接触电阻率（＜1E5Ωcm2），高温稳 2021年6月11日 将碳化硅 (SiC)粉体填满石墨坩埚的底部， 碳化硅 (SiC)籽晶粘结在距原料面有一定距离的石墨坩埚盖内部， 然后将石墨坩埚整体置于石墨发热体中， 通过调节外 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎2023年1月17日 碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT） 生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片。 ①原料合成。将高纯硅粉和高纯碳粉 【SiC 碳化硅加工工艺流程】 知乎
8英寸碳化硅单晶研究获进展中国科学院
2022年4月27日 近期，科研人员通过优化生长工艺，进一步解决了多型相变问题，持续改善晶体结晶质量，成功生长出单一4H晶型的8英寸SiC晶体，晶坯厚度接近196 mm，加工 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 08:57:31 来源：科技日报 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网2023年8月19日 控制碳化硅外延缺陷，方法一是谨慎选择碳化硅衬底材料；二是设备选择及国产化；三是工艺技术。 碳化硅外延技术进展情况 在低、中压领域，目前外延片核心参数厚度、掺杂浓度可以做到相对较优的水平。为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？ 知乎
技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2020年12月2日 控制碳化硅外延缺陷，方法一是谨慎选择碳化硅衬底材料；二是设备选择及国产化；三是工艺技术。碳化硅 外延技术进展情况： 在低、中压领域，目前外延片核心参数厚度、掺杂浓度可以做到相对较优的 2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制 三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎2023年1月2日 根据电阻率的不同，碳化硅衬底可以分为半绝缘型和导电型衬底，分别适用于不同的应用场景： 导电型衬底：主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化 硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类 碳化硅 SiC 知乎
揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
2021年11月7日 智东西 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等 2021年8月16日 工艺难度和壁垒来看，碳化硅 无论是材料还是器件的制造，难度都显著高于传统硅基。其中大部分的难度是碳化硅材料高熔点和高硬度所需特殊工艺带来的。碳化硅器件的生产环节主要包括衬底制备、外延和器件制造封测三大步骤。各步骤中难度 第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 08:57:31 来源：科技日报 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网
碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎
2022年3月7日 来源：《拆解PVT生长碳化硅的技术点》 工艺的不同导致碳化硅长晶环节相比硅基而言主要有两大劣势。生产难度大，良率较低。碳化硅气相生长的温度在2300℃以上，压力350MPa，全程暗箱进行，易混入杂质，良率低于硅基，直径越大，良率越低。2022年3月9日 基于 PVT法制备碳化硅衬底的工艺流程主要包含原料合成、晶体生长、晶锭加工、晶体切割及晶片处理五大工艺流程。132 外延 外延层是在晶片的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶片和外延薄膜合称外延片。第三代半导体碳化硅行业深度研究报告（上篇） 知乎2021年6月8日 碳化硅单晶衬底材料线切割工艺存在材料损耗大、效率低等缺点，必须进一步开发大尺寸碳化硅晶体的切割工艺，提高加工效率。 衬底表面加工质量的好坏直接决定了外延材料的表面缺陷密度，而大尺寸碳化硅衬底的研磨和抛光工艺仍不能满足要求，需要进一步开发研磨、抛光工艺参数，降低晶圆 第三代半导体材料之碳化硅（SiC） 碳化硅（SiC）材料是功率
8英寸碳化硅单晶研究获进展中国科学院
2022年4月27日 碳化硅（SiC）是一种宽带隙化合物半导体，具有高击穿场强（约为Si的10倍）、高饱和电子漂移 速率（约为Si的2倍）、高热导率（Si的3倍、GaAs的10倍）等优异性能。相比同类硅基器件，SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积 2022年9月1日 图4：先驱体转化法制备碳化硅纤维工艺流程 化学气相沉积法（CVD法） CVD法是早期生产碳化硅纤维复合长单丝的方法，其基本原理是在连续的钨丝或碳丝芯材上沉积碳化硅。相较钨丝，在碳丝上沉积碳化硅能够得到更轻、更稳定的碳化硅纤维及其复合材料。新材料系统解读：碳化硅（SiC）【读懂中国100个核心赛道之 2022年9月6日 碳化硅外延工艺 ： 对所有碳化硅电子器件的制造而言，必须首先在碳化硅衬底上进行外延薄膜的生长，因为在衬底中无法进行扩散掺杂，且若在其中直接注入离子，会导致碳化硅的电气质量较差。由于同质 第三代半导体碳化硅（1） 知乎
碳化硅芯片的设计和制造 知乎
2023年4月1日 我们可以把MOSFET（硅和碳化硅）根据它们的栅极结构分成两类：平面结构和沟槽结构，它们的示意图如图三所示。 如果从结构上来说，硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。2020年1月15日 二、碳化硅mos的技术难点 综合各种报道，难题不在芯片的原理设计，特别是芯片结构设计解决好并不难。难在实现芯片结构的制作工艺。当然对于用户最直接的原因是，SiC MOSFET 的价格相对较高。 举例如下： 1 掺杂工艺有特殊要求。碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势与技术的难点 知乎2023年10月27日 改进的自蔓延合成法本质上是一种高温燃烧的合成工艺，硅源和碳源在高温下充分燃烧，得到的产物便是 SiC 粉体。在这个工艺过程中，SiC 粉体的纯度、粒径、晶型受多种因素的影响，人们对此做了大量的研究。2． 1 温度对合成高纯碳化硅粉体的影响碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解
碳化硅芯片怎么制造？ 知乎
2021年8月4日 碳化硅芯片这样制造 新材料，“芯”未来！碳化硅芯片，取代传统硅基芯片，可以有效提高工作效率、降低能量损耗，减少碳排放，提高系统可靠性，缩减体积、节约空间。以电动汽车为例，采用碳化硅芯片，将使电驱装置的体积缩小为五分之一，电动汽车行驶损耗降低60%以上，相同电池容量下 2022年6月30日 具有操作简单、工业型、高精度、高质量、高性价比等优点。再结合反应烧结制备工艺在复杂结构碳化硅 陶瓷产品近净尺寸成型方面形成了巨大优势，从而提高了产品生产效率并降低生产成本，为制造复杂结构陶瓷提供了新的工艺方案。 SiC陶瓷3D 硅酸盐研究所探索碳化硅陶瓷制备新方法 知乎2022年9月27日 碳化硅晶片制造工艺难度大，研发时间长，存在较高的技术门槛和人才门槛。目前，碳化硅晶片产业格局呈现美国全球独大的特点。根据Yole数据，海外厂商占有全球碳化硅衬底产量的86%以上，仅Wolf speed公司就占据了45%的市场份额，排名第二的 碳化硅产业链 SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游
半导体届“小红人”——碳化硅 知乎
2019年10月9日 另一个关键的工艺是碳化硅MOS栅氧化物的形成。硅IGBT在一般情况下只能工作在20kHz以下的频率。由于受到材料的限制，高压高频的硅器件无法实现。碳化硅MOSFET不仅适合于从600V到10kV的广泛电压范围，同时具备单极型器件的卓越开关性能。碳化硅加工工艺流程 一、碳化硅的发展史： 1893年 艾奇逊 发表了个制碳化硅的专利，该专利提出了制取碳化硅的工业方法，其主要特 点是，在以碳制材料为炉芯的电阻炉中通过加热二氧化硅和碳的混合物，使之相互反应，从而生成碳化 硅，到1925年卡普伦登公司，又宣布研制成功绿碳化硅。碳化硅加工工艺流程百度文库2022年7月22日 碳化硅作为宽禁带半导体的代表，理论上具有极其优异的性能，有望在大功率电力电子变换器中替换传统硅 IGBT，大幅提升变换器的效率以及功率密度等性能。 但是目前商用碳化硅功率模块仍然沿用传统硅 碳化硅功率模块封装技术综述 知乎
详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案 知乎
2023年4月28日 通常碳化硅衬底厂的抛光工艺分为粗抛和精抛 1)粗抛：常用的粗抛工艺采用高锰酸钾氧化铝粗抛液搭配无纺布粗抛垫，通常采用的是杜邦的SUBA800。 高锰酸钾起到氧化腐蚀作用，纳米氧化铝颗粒起到机械磨削的作用，加工后的碳化硅衬底片表面粗糙度能达 该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制备。 以下是几种常见的固相法。 1) 机械粉碎法：将粉体颗粒状的碳化硅在外力作用下将他研磨煅烧一系列操作后得到超细粉体，该工艺及设备简单，成本也低，但效率高，缺点就是反应中易 碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社2022年4月7日 碳化硅(SiC)器件制造工艺中的清洗方法碳化硅(SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处，但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意义。材料参数差异包括扩散系数、表面能和化学键强度，所有这些都可以在清洁关键表面方面发挥作用。碳化硅(SiC)器件制造工艺中的清洗方法 今日头条 电子
碳化硅（SIC）晶体生长方法之——化学气相沉积法的详解；
2023年10月30日 热壁CVD工艺相对更加成熟，制备成本较低，且在材料生长中表现出良好的可靠性，因此收到众多实验室的青睐。 高温化学气相沉积是碳化硅晶体生长的重要方法。 HTCVD生长碳化硅晶体是在密闭的反应器中，外部加热使反应室保持所需要的反应 2023年4月3日 4）晶圆加工，通过光刻、沉积、离子注入和金属钝化等前段工艺加工形成的碳化硅 晶圆，经后段工艺可制成碳化硅芯片；5）器件制造与封装测试，所制造的电子电力器件及模组可通过验证进入应用环节。 碳化硅产品从生产到应用的全流程历时较 碳化硅产业链研究 知乎2020年6月16日 碳化硅器件的制备方面，个人理解主要有 1 光刻对准，相较于传统硅片，双面抛光的碳化硅晶圆是透明的，光刻对准是一个难点 2 离子注入和退火激活工艺，由于碳化硅材料的特性，制备器件时掺杂只能靠离子注入的方式，而且需要高能粒子注入。碳化硅器件目前有什么生产难点？？ 知乎
【SiC 碳化硅加工工艺流程】 知乎
2023年1月17日 碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT） 生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片。 ①原料合成。将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在 2,000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。2016年3月9日 深入探讨碳化硅工艺：半导体材料的新一代继承者 在众多的半导体材料中，碳化硅 (Silicon Carbide, 简称SiC)以其良好的物理和电学性能成为继承锗、硅、砷化镓之后新一代微电子器件和电路的半导体材料。 表1列出了几种重要半导体材料的基本特性比较，从 深入探讨碳化硅工艺：半导体材料的新一代继承者 世强硬 2021年9月24日 芯片是如何制造的？ 碳化硅芯片与传统硅基芯片有什么区别？ 碳化硅，又叫宽禁带半导体，第三代半导体 以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温 碳化硅芯片的五大关键工艺步骤电子器件
碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 腾讯网
2023年4月17日 晶体生长：为碳化硅衬底制造最核心工艺环节，决定了碳化硅衬底的电学性质。目 前晶体生长的主要方法有物理气相传输法（PVT）、高温化学气相沉积法（HTCVD） 和液相外延（LPE）三种方法，物理 2023年3月28日 热压烧结是将干燥的碳化硅粉料填充进高强石墨模具内，在升温的同时施加一个轴向压力，在合适的压力温度时间工艺条件控制下，实现碳化硅的烧结成型。一般烧结温度1950℃，压力在几十MPa。与无压烧结类似，可以通过添加多种烧结助剂以提高制品的陶瓷3D打印——碳化硅烧结技术 知乎2022年11月22日 SiC外延工艺简介 外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。 其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件，其中应用最多的是4H SiC外延工艺简介 深圳市重投天科半导体有限公司
SIC MOSFET碳化硅芯片的设计和制造 知乎
2023年4月1日 SiC MOSFET的设计制造工艺非常复杂，本文对其流程与一些关键考虑因素进行了简要介绍，希望能让大家对SiC MOSFET的设计和制造有一个概念。 编辑于 16:46 ・IP 属地河南 碳化硅 芯片（集成电路） 设计 众所周知，对于碳化硅MOSFET (SiC MOSFET)来说，高质量的 2022年7月13日 211碳化硅纤维制备工艺 碳化硅纤维的制备方法主要有先驱体转化法、化学气相沉积法（CVD)和活性炭纤 维转化法 3 种。3 种制备方法各有优缺点，而且使用不同制备方法制备的碳化硅纤维 也具有不同的性能。 先驱体转化法是目前主要采用的碳化硅纤维研制碳化硅纤维行业研究：航空发动机热端结构理想材料 知乎碳化硅的生产工艺和投资估算 碳化硅是人工合成的材料，其化学计量成分以克分子计：Si 50%、C 50%以质量计：Si 7004%、C 2996%，相对分子质量为4009。 装料顺序是在炉底先铺上一层未反应料，然后添加新配料到一定高度 (约炉芯到炉底的二分之一)，在其上面铺一 碳化硅生产工艺百度文库
PVT、HTCVD及LPE碳化硅长晶工艺
2023年9月26日 碳化硅的单晶生产方式主要有物理气相传输法(PVT)、高温气相化学沉积法(HTCVD)、液相法(LPE)等方法，以下简要介绍几种工艺: 1) PVT 法通过感应加热（或电阻加热）的方式在 2300°C以上高温、接近真空的低压下加热碳化硅粉料，使其升华产生包含 Si 2020年10月15日 近20 多年来，碳化硅(silicon carbide，SiC)作为 一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注[1]。与硅相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅的禁 带宽度更大，这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及 更高的工作温度，抗辐照能力得到提升；碳化硅材碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 CSEE2023年8月19日 控制碳化硅外延缺陷，方法一是谨慎选择碳化硅衬底材料；二是设备选择及国产化；三是工艺技术。 碳化硅外延技术进展情况 在低、中压领域，目前外延片核心参数厚度、掺杂浓度可以做到相对较优的水平。为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？ 知乎
技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2020年12月2日 控制碳化硅外延缺陷，方法一是谨慎选择碳化硅衬底材料；二是设备选择及国产化；三是工艺技术。碳化硅 外延技术进展情况： 在低、中压领域，目前外延片核心参数厚度、掺杂浓度可以做到相对较优的 2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制 三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎2023年1月2日 根据电阻率的不同，碳化硅衬底可以分为半绝缘型和导电型衬底，分别适用于不同的应用场景： 导电型衬底：主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化 硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类 碳化硅 SiC 知乎
揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
2021年11月7日 智东西 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等 2021年8月16日 工艺难度和壁垒来看，碳化硅 无论是材料还是器件的制造，难度都显著高于传统硅基。其中大部分的难度是碳化硅材料高熔点和高硬度所需特殊工艺带来的。碳化硅器件的生产环节主要包括衬底制备、外延和器件制造封测三大步骤。各步骤中难度 第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 08:57:31 来源：科技日报 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网
碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎
2022年3月7日 来源：《拆解PVT生长碳化硅的技术点》 工艺的不同导致碳化硅长晶环节相比硅基而言主要有两大劣势。生产难度大，良率较低。碳化硅气相生长的温度在2300℃以上，压力350MPa，全程暗箱进行，易混入杂质，良率低于硅基，直径越大，良率越低。2022年3月9日 基于 PVT法制备碳化硅衬底的工艺流程主要包含原料合成、晶体生长、晶锭加工、晶体切割及晶片处理五大工艺流程。132 外延 外延层是在晶片的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶片和外延薄膜合称外延片。第三代半导体碳化硅行业深度研究报告（上篇） 知乎2021年6月8日 碳化硅单晶衬底材料线切割工艺存在材料损耗大、效率低等缺点，必须进一步开发大尺寸碳化硅晶体的切割工艺，提高加工效率。 衬底表面加工质量的好坏直接决定了外延材料的表面缺陷密度，而大尺寸碳化硅衬底的研磨和抛光工艺仍不能满足要求，需要进一步开发研磨、抛光工艺参数，降低晶圆 第三代半导体材料之碳化硅（SiC） 碳化硅（SiC）材料是功率